一種在鋁酸鋰(302)面襯底上生長(zhǎng)非極性a(11-20)面GaN薄膜的方法，在金屬有機(jī)物化學(xué) 氣相淀積(MOCVD)系統(tǒng)中，在鋁酸鋰(LiAlO2)(302)面襯底上，在N2保護(hù)下，升溫到 800-950℃，在氮?dú)鈿夥障律L(zhǎng)低溫保護(hù)層，低溫保護(hù)層反應(yīng)室壓力為150-500torr，三甲基鎵 (TMGa)流量為1-50sccm，對(duì)應(yīng)于摩爾流量：4E-6mole/min-3E-4mole/min；然后降低壓力 至100-300torr，升溫到1000-1100℃在氮?dú)鈿夥障吕^續(xù)生長(zhǎng)非摻雜氮化鎵(U-GaN)層，TMGa 流量為10-150sccm，對(duì)應(yīng)于摩爾流量：4E-5mol/min-7.5E-4mole/min；然后再升溫到 1050-1150℃，在氫氣氣氛下生長(zhǎng)高溫U-GaN約1um，TMGa流量為20-200sccm，對(duì)應(yīng)于摩爾 流量：8E-5mol/min-1E-3mole/min。本發(fā)明的創(chuàng)新點(diǎn)在于根據(jù)鋁酸鋰(302)面襯底的特點(diǎn)，設(shè) 計(jì)了一套新的外延工藝，使得所生長(zhǎng)的外延薄膜具有更高質(zhì)量、更具有實(shí)用性。