本發(fā)明提供一種C包覆Li
4SiO
4氚增殖劑及其制備方法與制備裝置系統(tǒng),所述制備方法包括以下步驟:(1)使Li
4SiO
4顆粒在保護氣氛中處于流化狀態(tài);(2)在步驟(1)持續(xù)進行的基礎上,混合Li
4SiO
4顆粒與碳源氣體;(3)氣固分離后得到C包覆Li
4SiO
4氚增殖劑。所述制備裝置系統(tǒng)包括料倉、流化床包覆裝置、尾氣處理裝置與產(chǎn)品收集裝置。本發(fā)明克服了Li
4SiO
4對包層材料的腐蝕,同時提升了鋰基陶瓷氚增殖劑在He?H
2/H
2O環(huán)境中的穩(wěn)定性。
聲明:
“碳包覆正硅酸鋰氚增殖劑及其制備方法與制備裝置系統(tǒng)” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)