本發(fā)明提供一種改善石英襯底鈮酸鋰調(diào)制器
芯片頻率特性的結(jié)構(gòu)與方法。該結(jié)構(gòu)包括:載體芯片;設(shè)置在載體芯片上表面的有地共面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)以及設(shè)置在調(diào)制器芯片上表面的無地共面波導(dǎo)結(jié)構(gòu);分別設(shè)置在有地共面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)兩端的芯組互聯(lián)結(jié)構(gòu);設(shè)置在載體芯片下表面的金屬接地層;分別設(shè)置在第一接地區(qū)域上的多個金屬接地孔;分別設(shè)置于第一接地區(qū)域上和/或第二接地區(qū)域上的多個接地微凸點;設(shè)置在行波傳輸線兩端的輸入電極和輸出電極;設(shè)置在輸入電極上和/或?qū)拵鬏斁€的輸入端上的輸入微凸點;設(shè)置在輸出電極上和/或?qū)拵鬏斁€的輸出端上的輸出微凸點;調(diào)制器芯片的上表面設(shè)置在載體芯片的上表面。本發(fā)明能夠提升接地連續(xù)性,進而提升芯片工作頻率。
聲明:
“改善石英襯底鈮酸鋰調(diào)制器芯片頻率特性的結(jié)構(gòu)與方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)