本發(fā)明提供一種用于鋰電保護的開關器件及其制作方法,包括:P+型襯底及P?型外延層;第一絕緣溝槽,形成于體接觸區(qū)域;N型阱區(qū);兩個P型阱區(qū);兩個柵極結構;共用的N?型漂移區(qū),形成于兩個柵極結構之間;N型源區(qū)及P+型接觸區(qū);介質(zhì)層,其打開有兩個源區(qū)接觸窗口及一體區(qū)接觸窗口,所述體區(qū)接觸窗口內(nèi)的所述絕緣介質(zhì)被去除形成第二溝槽,且第二溝槽側壁保留有絕緣介質(zhì);以及填充于所述源區(qū)接觸窗口、體區(qū)接觸窗口及所述第二溝槽內(nèi)的電極材料。本發(fā)明采用共用漂移區(qū)的方式構建MOSFET器件,大大降低漂移區(qū)區(qū)域電阻,同時保證耐壓不變;將其中一個源區(qū)電極引到
芯片背面,可有效降低器件內(nèi)阻;體區(qū)電極側壁的絕緣介質(zhì)可有效降低漏電流,并提高耐壓。
聲明:
“用于鋰電保護的開關器件及其制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)