揭示一種從EUV光源EUV集光器反射表面去除碎片的方法與設(shè)備,反射表面含第一材料,碎片含第二材料和/或第二材料的化合物。該系統(tǒng)與方法包括一受控的濺射離子源,該濺射離子源包括含濺射離子材料原子的氣體;和一把濺射離子材料的原子激發(fā)成電離態(tài)的激發(fā)機(jī)構(gòu),電離態(tài)被選成具有圍繞選定能量峰的分布,對(duì)第二材料具有高的濺射概率,而對(duì)第一材料具有極低的濺射概率。激發(fā)機(jī)構(gòu)包括一RF或微波感應(yīng)機(jī)構(gòu)。氣體保持于部分決定選定能量峰的壓力,激發(fā)機(jī)構(gòu)產(chǎn)生濺射離子材料的離子流入量,從反射器表面形成第二材料的原子濺射密度,它等于或超過第二材料等離子體碎片原子的流入速率。對(duì)指定的反射表面期望壽命選擇濺射速率。反射表面可被覆蓋。集光器包括橢圓鏡與包含徑向延伸溝道的碎片屏。第一材料是鉬,第二材料為鋰,離子材料為氦,系統(tǒng)具有從反射表面蒸發(fā)第二材料的加熱器,激發(fā)機(jī)構(gòu)在點(diǎn)火時(shí)刻之間連接反射表面,反射表面有阻擋層。集光器是組合了掠入射角反射器殼體的球面鏡,通過對(duì)反射器殼體上的多層堆選用層材料,殼體可用作光譜濾波器。濺射可結(jié)合加熱,后者去除鋰,前者去除鋰化合物,可用等離子體生成的離子作濺射而不用受激的氣體原子。
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“用于EUV光源的集光器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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