本發(fā)明公開(kāi)了光學(xué)晶體制備技術(shù)領(lǐng)域的一種非線性光學(xué)晶體的制備方法，該方法的具體步驟如下：S1：將含鋰化合物基片切割成方形片，將其置入80～90℃的氫氟酸中煮10～20min，取出后用去離子水沖洗，并用氮?dú)獯蹈?；S2：將光刻膠溶液均勻噴灑至含鋰化合物方形片的表面；S3：在烘干機(jī)中將光刻膠中的溶劑部分烘干；S4：在低氣壓下對(duì)含鋰化合物方形片進(jìn)行磁控濺射；S5：隨后將含鋰化合物方形片進(jìn)行濕法腐蝕；S6：將含鋰化合物方形片裝入夾具并連入電路中進(jìn)行極化處理，本發(fā)明具有較寬的激光波段，硬度適中，易于加工和保存，不會(huì)出現(xiàn)潮解的現(xiàn)象，利用該晶體所制成的非線性光學(xué)器件，在室溫下，其激光強(qiáng)度是普通非線光學(xué)材料的1.5倍。