本發(fā)明公開了一種修復(fù)受損的低k介電材料的方法。常用于生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的基于等離子體的方法通常會(huì)損壞含碳的低k介電材料。受損的介電材料暴露在水分中時(shí)可能形成硅醇基團(tuán)。在優(yōu)選的實(shí)施方案中,兩步法將硅醇轉(zhuǎn)化為合適的有機(jī)基團(tuán)。第一步包括用鹵化劑將硅醇轉(zhuǎn)化為鹵化硅。第二步包括利用衍生劑,優(yōu)選利用有機(jī)金屬化合物用合適的有機(jī)基團(tuán)取代鹵化物。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中,鹵化劑包括亞硫酰二氯,有機(jī)金屬化合物包括烷基鋰,優(yōu)選甲基鋰。在另一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中,有機(jī)金屬化合物包括格氏試劑。本申請公開的實(shí)施方案有利于生產(chǎn)商通過選擇性加入有機(jī)基團(tuán)對低k介電材料的密度、極化和離子化性能進(jìn)行設(shè)計(jì)。
聲明:
“修復(fù)低k介電膜中的碳損耗” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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