本發(fā)明公開了一種帶氮化硅層的單晶薄膜及其制備方法,從上至下包括氮化硅層、鈮酸鋰薄膜層、氧化硅層和硅襯底層;本發(fā)明的帶氮化硅層的單晶薄膜,由于氮化硅有好的絕緣效果和寬的光學(xué)透過窗口,作為光波導(dǎo)傳播層,與鈮酸鋰薄膜有更好的匹配性、高的模式限制、低的傳播損耗和高功率處理能力;本發(fā)明的帶氮化硅層的單晶薄膜的制備方法,氮化硅波導(dǎo)采用LPVCD沉積制成,并和鈮酸鋰調(diào)制器進(jìn)行集成,可以得到集成度高、寬帶寬、損耗低的波導(dǎo)器件;本發(fā)明的制備方法適用于工業(yè)生產(chǎn),成品率高。
聲明:
“帶氮化硅層的單晶薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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