本發(fā)明公開了一種基于LNOI光子平臺的硅光探測器及其制備方法,包括設(shè)于絕緣體襯底上的鈮酸鋰薄膜、單晶硅層和電極,所述絕緣體襯底包括支撐襯底層和光絕緣層,所述支撐襯底層設(shè)于所述光絕緣層的一側(cè),所述鈮酸鋰薄膜設(shè)于所述光絕緣層的另一側(cè),所述鈮酸鋰薄膜的另一側(cè)設(shè)有所述單晶硅層,在所述單晶硅層上設(shè)有所述電極。相對于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明提出的基于LNOI光子平臺的硅光探測器及其制備方法,由于硅為單晶硅,材料中的缺陷極少,大大提高了光生載流子的收集效率,所制備的器件具有高響應(yīng)率,低電容,低暗電流和高靈敏度的優(yōu)點(diǎn),同時(shí)離子束剝離制備的單晶硅層厚度均勻性極好,器件性能穩(wěn)定,具有極大應(yīng)用前景。
聲明:
“基于LNOI光子平臺的硅光探測器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)