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CuInS2納米晶半導(dǎo)體薄膜的制備方法

701   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 23:35:21
本發(fā)明屬于能源材料領(lǐng)域。本發(fā)明分別以氯化銅、氯化銦、硫代硫酸鈉和氯化鋰作為銅、銦、硫源和支持電解質(zhì),以鄰苯二甲酸氫鉀兼作絡(luò)合劑和pH緩沖劑配制電沉積液,并調(diào)節(jié)pH=1.5-3.5后,在攪拌條件下進(jìn)行電沉積,而后將所得前軀體薄膜在惰性氣氛保護(hù)條件下于250-500℃下恒溫30-180min,得到CuInS2納米晶半導(dǎo)體薄膜。本發(fā)明所提供的方法可控性強(qiáng),重復(fù)好,所制備的CuInS2納米晶半導(dǎo)體薄膜無雜質(zhì),適用于薄膜太陽能電池光吸收層材料。
聲明:
“CuInS2納米晶半導(dǎo)體薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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