本發(fā)明提供具有合適的熱穩(wěn)定性、合適的揮發(fā)性,適宜于作為CVD法或ALD法原料的化合物,該化合物的制備方法、該化合物作為原料形成的薄膜和薄膜形成方法。通式(1)表示的化合物通過使通式(2)表示的化合物與通式(3)表示的化合物反應(yīng)制備。使用制備的該化合物為原料形成含金屬薄膜。(在通式中,M表示第4族原子、鋁原子、鎵原子等;根據(jù)情況n是2或3;R1和R3各自表示具有1-6個碳原子的烷基等;R2表示具有1-6個碳原子的烷基等;R4和R5各自表示具有1-4個碳原子的烷基等;X表示氫原子、鋰原子或鈉原子;根據(jù)情況p是1或2;和根據(jù)情況q是4或6)。
聲明:
“含有金屬的化合物,其制備方法、含有金屬的薄膜和其形成方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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