本發(fā)明涉及一種少層MoS2納米片的制備方法,包括以下步驟:(1)往反應(yīng)容器中加入鋰離子插層劑、硫化鉬和溶劑,水浴加熱,得到水浴加熱產(chǎn)物;(2)將步驟(1)得到的水浴加熱產(chǎn)物再進(jìn)行微波加熱,冷卻后得到黑色產(chǎn)物;(3)將步驟(2)得到的黑色產(chǎn)物分離、洗滌干凈后,分散于去離子水中進(jìn)行剝離;(4)將步驟(3)得到的剝離后的產(chǎn)物過(guò)濾、干燥后,即得到少層MoS2納米片。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有能源利用高效、制備工藝簡(jiǎn)單易行、制備時(shí)間端、產(chǎn)率高等優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“少層MoS2納米片的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)