本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體金屬氧化物的原位合成方法,包括:在基底上涂覆一層液態(tài)金屬醇化物M(OR)y或其溶液或TiCl4,置于空氣中10秒以上,形成水解層;再將其置于高溫?zé)崤_上,在高于400℃溫度下,在空氣中煅燒2分鐘以上,即得到半導(dǎo)體金屬氧化物,其中,M代表金屬元素,R代表烷基單元,OR代表醇根陰離子;再通過30-60分鐘的退火(退火溫度400-500℃),即可以得到結(jié)晶性良好的半導(dǎo)體氧化物。相比于同體系的納米顆粒材料,本發(fā)明制備的半導(dǎo)體金屬氧化物結(jié)晶性更高,載流子遷移率更大。合成的材料非常有望在染料敏化
太陽能電池、光解水制氫、光降解有機污染物及鋰離子電池等領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。
聲明:
“半導(dǎo)體金屬氧化物的原位合成方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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