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二維高導電率氫化NbSe₂納米薄膜、其制備方法和應用

733 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 00:00:44

本發(fā)明提供了一種二維高導電率氫化NbSe₂納米片的制備方法，包括：將層狀NbSe₂塊材浸入鋰源溶液反應，得到前驅物Li_xNbSe₂；將Li_xNbSe₂分散在去離子水中，通惰性氣體保護，超聲剝離得到分散的超薄二維高導電率氫化H_xNbSe₂納米片。本發(fā)明選用高導電性層狀NbSe₂金屬材料，利用Li離子進行插層擴大了NbSe₂層間距，便于剝離成為超薄納米片；又充分利用了水中H離子置換Li離子，實現(xiàn)電子注入，進一步提高納米片載流子濃度和導電率，從而得到了高導電率的氫化NbSe₂納米片并可以進一步組裝得到薄膜。本發(fā)明方法簡單，產(chǎn)率高，結構保存完好，組裝成二維薄膜便于轉移，導電性高，循環(huán)穩(wěn)定性良好。

聲明：

“二維高導電率氫化NbSe₂納米薄膜、其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)