本申請(qǐng)的實(shí)施例提供了負(fù)極、
電化學(xué)裝置和電子裝置。負(fù)極包括集流體和設(shè)置在集流體上的活性物質(zhì)層,活性物質(zhì)層的離子電導(dǎo)率為0.01S/m至1S/m。本申請(qǐng)的實(shí)施例通過(guò)將活性物質(zhì)層的離子電導(dǎo)率限定為0.01S/m至1S/m,使得電化學(xué)裝置能夠滿足快充的要求,同時(shí)能夠使得在快充條件下,抑制電化學(xué)裝置的負(fù)極表面析鋰,保證了電化學(xué)裝置的安全性能。
聲明:
“負(fù)極、電化學(xué)裝置和電子裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)