本發(fā)明涉及一種以石墨烯為模板低溫熔鹽法合成二維SiC超薄納米結(jié)構(gòu)及其制備方法。該方法以Si粉為原料，以石墨烯為模板，以NaCl和NaF混合物為熔鹽介質(zhì)，在一定的氣氛和1050℃~1200℃低溫條件下通過(guò)熔鹽法進(jìn)行合成，隨后用水對(duì)含有熔鹽的產(chǎn)物分別進(jìn)行溶解、離心、過(guò)濾等反復(fù)操作3?6次，將殘存的熔鹽去除，干燥后即可得到本發(fā)明所述的二維SiC超薄納米結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料。制備n型SiC二維超薄納米結(jié)構(gòu)材料時(shí)，選擇在N2氣氛下控制工藝對(duì)合成SiC進(jìn)行摻N；制備p型SiC二維超薄納米結(jié)構(gòu)材料時(shí)，選擇在Ar氣氛下原料中添加B、Al、Ga或Be作為摻雜劑。本發(fā)明制備的二維SiC納米結(jié)構(gòu)可用于在高溫、高輻射、強(qiáng)腐蝕性等惡劣環(huán)境的高頻和高功率微電子器件及鋰離子電池負(fù)極材料。