二維二硫化鎢是一種類石墨烯的新型二維材料，在電學(xué)器件、能源、生物和復(fù)合材料等方面有極大的應(yīng)用潛力。制備二維二硫化鎢方法包括機(jī)械剝離、電化學(xué)鋰離子插層法、液相剝離法。水熱法以及化學(xué)氣相沉積法等，其中化學(xué)氣相沉積法在制備二維二硫化鎢時(shí)有著尺寸、層數(shù)可控，材料結(jié)晶質(zhì)量高等方面的優(yōu)勢(shì)。目前CVD法制備二硫化鎢的研究較少，已有的報(bào)道中制備的二維二硫化鎢尺寸只有幾十到一百微米，無(wú)法達(dá)到可控生長(zhǎng)的目的。本專利圍繞化學(xué)氣相沉積法，改進(jìn)生長(zhǎng)工藝，使生長(zhǎng)過(guò)程不再需要真空低壓條件，在常壓下就可進(jìn)行，使用簡(jiǎn)單的單溫區(qū)管式爐即可生長(zhǎng)出高質(zhì)量的，使實(shí)驗(yàn)過(guò)程更加簡(jiǎn)單，實(shí)驗(yàn)成本大大降低，并且提高了實(shí)驗(yàn)制備的可控性。