本發(fā)明提供了一種多孔結(jié)構(gòu)硅氧復(fù)合薄膜及其制備方法與應(yīng)用。所述多孔結(jié)構(gòu)硅氧復(fù)合薄膜的制備方法包括的步驟有:將硅靶材在惰性氣體與氧氣的混合氣氛下進(jìn)行濺射處理,在基體上生長硅氧復(fù)合薄膜,并進(jìn)行退火處理,得到硅和氧化硅的復(fù)合薄膜;用腐蝕劑對制備好的復(fù)合薄膜進(jìn)行刻蝕處理,然后清洗和烘干之后即得到多孔結(jié)構(gòu)硅氧復(fù)合薄膜。本發(fā)明制備的硅氧復(fù)合薄膜有大的比表面積、高的
儲能密度、較高的電導(dǎo)率、可以吸收硅氧復(fù)合薄膜在充放電時產(chǎn)生的體積膨脹,減輕周期性體積變化的應(yīng)力,保持鋰離子嵌入/脫出過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,保持高的可逆容量,比容量高。另外,所述制備方法工藝簡單,設(shè)備依賴度低,適合工業(yè)化生產(chǎn)。
聲明:
“高性能硅基薄膜的制備方法及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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