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引入TiN/Ti作為中間層的納米復(fù)合電極結(jié)構(gòu)及其制備方法

880   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 00:19:43
本發(fā)明公開了一種引入TiN/Ti作為中間層的納米復(fù)合電極結(jié)構(gòu)及其制備方法。本發(fā)明以TiN/Ti作為中間層的納米復(fù)合電極呈現(xiàn)獨(dú)特的火柴狀結(jié)構(gòu)。制作方法為首先將單層的聚苯乙烯納米球模板利用旋涂法自組裝在預(yù)先清洗、活化處理后的硅襯底上;隨后采用電感應(yīng)耦合等離子體干法刻蝕技術(shù)進(jìn)行刻蝕上述樣品;之后依次利用有機(jī)溶劑及標(biāo)準(zhǔn)清洗硅片工藝去除掩膜及刻蝕過程中所產(chǎn)生的副產(chǎn)物即可得到晶圓級(jí)三維硅納米柱陣列基礎(chǔ)結(jié)構(gòu);最后利用射頻磁控濺射技術(shù)依次沉積TiN、Ti、Ge得到該電極結(jié)構(gòu)。此獨(dú)特的三維納米復(fù)合電極結(jié)構(gòu)可作為可集成微型鋰/鈉離子電池、燃料電池等儲(chǔ)能系統(tǒng)模塊應(yīng)用在微/納機(jī)械系統(tǒng)等智能微型傳感半導(dǎo)體器件中。
聲明:
“引入TiN/Ti作為中間層的納米復(fù)合電極結(jié)構(gòu)及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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