本發(fā)明提供了一種高近紅外發(fā)光強(qiáng)度的Mg/Er-LiNbO3晶體及其制備方法。 Mg/Er-LiNbO3晶體以99.99wt%MgO、99.99wt%Er2O3、99.99wt%Nb2O5、99.99wt%LiCO3為 基礎(chǔ)原料,MgO摻雜量為0~2mol%,Er2O3摻雜量為0.5~1mol%,Li/Nb摩爾比=1.381。本發(fā) 明綜合運(yùn)用抗光損傷元素?fù)诫s與化學(xué)計(jì)量比生長(zhǎng)兩種手段,同時(shí)實(shí)現(xiàn)有源光波導(dǎo)器件基質(zhì)材 料-鈮酸鋰晶體的Er離子低簇位濃度、強(qiáng)抗光損傷能力,獲得明顯增強(qiáng)的1.5μm波段光發(fā)射 性能,推動(dòng)有源LN光波導(dǎo)器件向?qū)嵱没A段邁進(jìn)。
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“高近紅外發(fā)光強(qiáng)度的Mg/Er-LiNbO3晶體及其制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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