本發(fā)明提供了一種晶體管,包括襯底,堆疊于所述襯底上的二維半導(dǎo)體層,設(shè)置于所述二維半導(dǎo)體層兩側(cè)的源電極和漏電極,堆疊于所述二維半導(dǎo)體層上的柵控介質(zhì)層,堆疊于所述柵控介質(zhì)層上石墨炔層,位于所述石墨炔層上方的柵電極,填充于所述柵電極與所述石墨炔層之間的電解質(zhì)層。石墨炔層能夠在柵控脈沖撤去后,阻止鋰離子的自發(fā)擴(kuò)散回電解液,提高了數(shù)據(jù)保持能力與柵控能力。柵控介質(zhì)層能阻止二硒化鎢和石墨炔之間的電荷流動(dòng),增強(qiáng)電荷保持能力,從而增強(qiáng)存儲(chǔ)可靠性,同時(shí)降低漏電流,減小功耗。本發(fā)明還提供了一種上述晶體管的制造方法。
聲明:
“晶體管及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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