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二硫化鉬薄膜材料的制備方法

711 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 00:29:13

一種二硫化鉬薄膜材料的制備方法，以MoS2靶材為原料，在氬氣和硫化氫混合氣體環(huán)境中，通過磁控濺射法在基底上制備MoS2薄膜，二硫化鉬薄膜材料的厚度為0.1-10.0μm。本發(fā)明的優(yōu)點是：通過在磁控濺射技術使用Ar氣-H2S混合氣和基底加熱原位退火方式，可以保證MoS2薄膜實現(xiàn)均勻沉積并且S/Mo原子比保持在2∶1，增加濺射時間可以有效增加厚度，提高MoS2納米薄膜產(chǎn)量；該方法簡單快速，制備工藝簡單，厚度可控，方法薄膜便于控制，為其在光電池、鋰電池、固體潤滑劑和其他方面的廣泛應用提供了可能。

聲明：

“二硫化鉬薄膜材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)