本申請(qǐng)公開了一種復(fù)合硅基材料及其制備方法和應(yīng)用。本申請(qǐng)復(fù)合硅基材料包括硅基本體和導(dǎo)電碳層,硅基本體與導(dǎo)電碳層結(jié)合且兩者之間形成有緩沖空間。本申請(qǐng)復(fù)合硅基材料在導(dǎo)電碳層與硅基本體表面之間設(shè)置的緩沖空間能夠有效的緩解復(fù)合硅基材料在儲(chǔ)鋰過程中的形變效應(yīng),提高了復(fù)合硅基材料的循環(huán)性能,容量衰減低;而且導(dǎo)電碳層有效提高復(fù)合硅基材料的導(dǎo)電性能和倍率性能。另外,復(fù)合硅基材料制備方法能夠保證復(fù)合硅基材料性能穩(wěn)定,效率高,節(jié)約了生產(chǎn)成本。
聲明:
“復(fù)合硅基材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)