本發(fā)明公開(kāi)了一種硅基發(fā)光二極管的制備方法,其包括以下步驟:S1:制備鉺硅氧溶膠;S2:在p型摻雜的硅基體上涂敷所述鉺硅氧溶膠,制備鉺硅酸鹽無(wú)機(jī)化合物與富硅氧化硅混合物薄膜作為本征層;S3:在p型摻雜的硅基體上沉積一層磷摻雜的硅材料制作n型電極,形成硅基發(fā)光二極管。本發(fā)明通過(guò)制備鉺硅酸鹽無(wú)機(jī)化合物與富硅氧化硅混合物薄膜作為硅基發(fā)光二極管的本征層,將鉺硅酸鹽無(wú)機(jī)化合物中鉺離子濃度提高1-2個(gè)數(shù)量級(jí),富硅氧化硅中納米硅和鉺離子之間的高效能量傳遞效率可以實(shí)現(xiàn)電致發(fā)光,從而實(shí)現(xiàn)發(fā)光二極管獲得強(qiáng)的通信波段1.53μm的電致發(fā)光。
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