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分析β?SiC過渡層對(duì)金剛石膜形核生長影響的方法

800   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 06:50:37
本發(fā)明公開了一種分析β?SiC過渡層對(duì)金剛石膜形核生長影響的方法。所述方法采用中頻磁控濺射技術(shù)在硬質(zhì)合金基體上沉積SiC過渡層,通過對(duì)沉積溫度的調(diào)控,獲得不同表面形貌和組織特性的β?SiC過渡層;利用熱絲化學(xué)氣相沉積在SiC過渡層表面沉積金剛石薄膜;利用掃描電鏡觀察樣品的表面形貌,利用X射線衍射檢測(cè)過渡層的組成、晶粒取向及結(jié)構(gòu)變化,利用拉曼光譜表征金剛石薄膜的純度和內(nèi)應(yīng)力的變化,利用微米壓痕測(cè)試金剛石薄膜的機(jī)械性能。所述方法通過研究沉積溫度對(duì)磁控濺射β?SiC過渡層表面形貌和組織特性的影響,低溫沉積β?SiC過渡層表面形貌和組織特性對(duì)金剛石薄膜形核及生長的影響,揭示了β?SiC過渡層影響金剛石形核及生長的作用機(jī)理。
聲明:
“分析β?SiC過渡層對(duì)金剛石膜形核生長影響的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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