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低漂移化學傳感器陣列的方法和裝置

1053 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-19 07:00:47

低漂移化學傳感器陣列的方法和裝置。一種片上的低基線漂移的SAW/LAW化學傳感器陣列及其形成方法。雙SAW延遲線包括:用來產生聲波的公共IDT,以及用來接收聲波的一對IDT。一個感測層或者一個參考層可以沉積在公共IDT的每一側上的位置中。一ASIC芯片包括片上的雙操作放大器和混合器,以利用由感測層和參考層給出的差獲得差別測量?？衫萌S3D技術來將傳感器陣列和ASIC連接在相同的封裝中并由此形成3D堆棧。化學傳感器陣列和ASIC可以配置在不同的封裝中,并利用2D技術互連在相同的襯底上。多種氣體可以被獨立地探測,每種氣體可關于與其相關聯(lián)的感測層和特定參考層而被有差別地探測。

聲明：

“低漂移化學傳感器陣列的方法和裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)