本申請涉及SiP模塊的結(jié)構(gòu)檢測方法，包括：采用3D?X光機(jī)對第一抽樣SiP模塊進(jìn)行內(nèi)部缺陷檢測；采用顯微鏡對第一抽樣SiP模塊進(jìn)行內(nèi)部材料和工藝質(zhì)量目檢；根據(jù)GJB548B?2005標(biāo)準(zhǔn)的方法2011的測試條件D，對第一抽樣SiP模塊進(jìn)行機(jī)械強(qiáng)度評價(jià)；采用高精度步進(jìn)研磨及化學(xué)溶劑腐蝕結(jié)合法，對第一抽樣SiP模塊內(nèi)部的疊層芯片進(jìn)行逐層減層分離，并采用顯微鏡逐層進(jìn)行層缺陷檢測；根據(jù)GJB548B?2005標(biāo)準(zhǔn)的方法2019對第二抽樣SiP模塊逐層進(jìn)行粘接強(qiáng)度檢測；對第三抽樣SiP模塊進(jìn)行機(jī)械切割，得到疊層芯片單元并固封后，對固封后的疊層芯片進(jìn)行剖面質(zhì)量檢測；在均未檢測到質(zhì)量缺陷時(shí)，確定各抽樣SiP模塊所屬批次的SiP模塊的可靠性合格。有效適用于SiP模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)檢測。