本發(fā)明涉及一種石墨烯增強(qiáng)型InGaAs紅外探測(cè)器，解決現(xiàn)有紅外探測(cè)器探測(cè)范圍窄和較高暗電流的技術(shù)問(wèn)題。該石墨烯增強(qiáng)型InGaAs紅外探測(cè)器結(jié)構(gòu)為：在襯底上依次生長(zhǎng)的緩沖層、擴(kuò)展波長(zhǎng)的InGaAs吸收層、石墨烯蓋層，構(gòu)成pin探測(cè)器結(jié)構(gòu)。本發(fā)明公開(kāi)了在襯底上以兩步法生長(zhǎng)失配緩沖層的方法。采用適合金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積技術(shù)生長(zhǎng)又方便控制并且禁帶寬度大于擴(kuò)展波長(zhǎng)InGaAs材料的InAsP或InAlAs三元系材料，可有效避免失配位錯(cuò)且適合于背面進(jìn)光的透明緩沖層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提出了使用石墨烯作為InGaAs紅外探測(cè)器的蓋層來(lái)擴(kuò)展探測(cè)范圍和降低暗電流的方法，實(shí)現(xiàn)對(duì)探測(cè)器性能的提高，具有廣泛的應(yīng)用前景。