本公開提供了一種基于
石墨烯?CMOS單片集成的探測器
芯片的制備方法,包括:S1,在CMOS集成電路表面沉積隔離層;S2,在隔離層中刻蝕通孔,填充金屬;S3,在隔離層表面濺射金屬鎳層;S4,在金屬鎳層的表面等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積石墨烯;S5,腐蝕去除金屬鎳層;S6,制備電極,得到基于石墨烯?CMOS單片集成的探測器芯片。本公開還提供了一種基于石墨烯?CMOS單片集成的探測器芯片的紅外成像系統(tǒng)。本公開通過引入石墨烯?CMOS單片集成探測器芯片可以實(shí)現(xiàn)多光譜的紅外成像,有效地解決了現(xiàn)有紅外成像領(lǐng)域低成本、多光譜紅外成像的技術(shù)難點(diǎn)。
聲明:
“基于石墨烯-CMOS單片集成的探測器芯片的制備方法及系統(tǒng)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)