本發(fā)明涉及一種自支撐高增益柔性硅基光電探測器的制備方法,通過化學(xué)腐蝕對單晶硅進行減薄使之具有柔韌性,并在柔性單晶硅表面制備具有準(zhǔn)周期微錐結(jié)構(gòu)的過飽和摻雜層,以此形成柔性黑硅。再經(jīng)過退火處理激活黑硅層中的摻雜元素,極大提高了柔性單晶硅的吸收率并拓展了其光譜吸收范圍。該柔性硅基光電探測器工作在反偏電壓下,吸收光子產(chǎn)生光生電子?空穴對,在外電場作用下分離,最終被電極收集后形成光電流,從而實現(xiàn)了光探測。本發(fā)明具有工藝簡單,原材料易獲取,易操控等優(yōu)點,本發(fā)明所制備的柔性硅基光電探測器一方面實現(xiàn)了自支撐,另一方面實現(xiàn)了低偏壓下高增益及寬譜的特性,并克服了有機柔性光電探測器響應(yīng)時間較長的缺點。
聲明:
“自支撐高增益柔性硅基光電探測器的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)