本發(fā)明公開一種具有雙層鈍化膜的AlGaN基紫外探測器及制備方法，所述的雙層鈍化膜為利用光刻技術(shù)保留在器件表面和臺面?zhèn)让娴纳稀⑾聝蓪拥碾p層Si3N4薄膜，其制備工藝為：在AlGaN基紫外探測器表面和臺面?zhèn)让娌捎酶袘詈系入x子體化學氣相沉積方法沉積雙層Si3N4薄膜，首先沉積一層應力與AlGaN層應力相近的下層Si3N4薄膜，然后沉積一層致密的上層Si3N4薄膜，待上述雙層膜沉積以后通過光刻和刻蝕工藝保留器件表面和臺面?zhèn)让娴腟i3N4雙層膜。本發(fā)明實現(xiàn)了AlGaN基紫外探測器中鈍化膜的低應力、高致密度、耐腐蝕的優(yōu)勢。