本發(fā)明公開(kāi)了一種臺(tái)面型探測(cè)器表面鈍化層的生長(zhǎng)方法,其包括:在低溫環(huán)境下采用等離子體化學(xué)氣相沉積工藝在晶圓的臺(tái)面結(jié)構(gòu)表面形成SiO2鈍化膜;在SiO2鈍化膜上涂覆聚酰亞胺膜并對(duì)聚酰亞胺膜進(jìn)行梯度固化使聚酰亞胺膜致密;在聚酰亞胺膜上旋涂光刻膠形成光刻膠層,并在光刻膠層上形成曝光區(qū)域;對(duì)曝光區(qū)域的光刻膠層進(jìn)行顯影處理,并對(duì)曝光區(qū)域的聚酰亞胺膜進(jìn)行腐蝕,然后去除光刻膠層;對(duì)聚酰亞胺膜進(jìn)行亞胺化處理以使聚酰亞胺膜固定在SiO2鈍化膜表面;對(duì)暴露出的SiO2鈍化膜進(jìn)行腐蝕以留出電極位置。本發(fā)明能夠改進(jìn)臺(tái)面型探測(cè)器鈍化質(zhì)量,有效降低器件表面漏電流,防止器件提前擊穿,同時(shí)提高器件的可靠性。
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