本發(fā)明公開了一種太赫茲波探測(cè)器，其主體結(jié)構(gòu)是一個(gè)共振隧穿二極管，并在雙勢(shì)壘結(jié)構(gòu)兩側(cè)對(duì)稱生長(zhǎng)隔離層、發(fā)射區(qū)層或電極接觸層。其制作工藝包括：利用光刻和ICP刻蝕在材料上刻蝕出直徑為4微米，高200納米的共振隧穿二極管微柱結(jié)構(gòu)，并光刻和ICP刻蝕出三角形臺(tái)面，通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法進(jìn)行鈍化保護(hù)以及ICP刻蝕SiO2制作出蝶形天線槽，并通過光刻、電子束熱蒸發(fā)鍍膜技術(shù)在重?fù)诫s的緩沖層上依次熱蒸發(fā)鈦鉑金金屬，形成歐姆接觸的蝶形天線電極。本發(fā)明利用了共振隧穿二極管高頻、高速、低功耗、負(fù)阻的特點(diǎn)，且共振隧穿二極管采用常規(guī)集成電路工藝制作即可，應(yīng)用于太赫茲波探測(cè)過程中，具有技術(shù)簡(jiǎn)單、可靠等優(yōu)點(diǎn)。