本發(fā)明公開了一種基于脈沖激光沉積的相變薄膜的制備方法,基于脈沖激光沉積設(shè)備,包括以下步驟:在真空條件下,利用激光照射旋轉(zhuǎn)靶材進(jìn)行預(yù)打靶,然后在旋轉(zhuǎn)硅基底上沉積Ge2Sb2Se4Te1薄膜。本發(fā)明是通過脈沖激光沉積制備的新型相變材料Ge2Sb2Se4Te1,保證了合金薄膜中各個元素較為理想的組分比,并通過特定溫度特定時間的退火實現(xiàn)了Ge2Sb2Se4Te1在逐漸相變過程中的折射率變化情況,在1550nm處實現(xiàn)了優(yōu)度值FOM=5.2,優(yōu)度值為相變前后折射率的變化與消光系數(shù)的變化之比,反映了相變材料的相變性能。對于本發(fā)明提供的基于脈沖激光沉積制備的新型相變材料Ge2Sb2Se4Te1,研究了其相變前后的形貌變化以及晶態(tài)情況下的晶格結(jié)構(gòu),并且分析了相變前后元素化學(xué)態(tài)度的變化情況,揭示了Ge2Sb2Se4Te1的相變機(jī)理。
聲明:
“基于脈沖激光沉積的相變薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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