本發(fā)明提供一種實(shí)現(xiàn)高溫高壓的連續(xù)流動(dòng)型微流控
芯片及其制備方法。該微流控芯片包括入口、混合區(qū)、加熱區(qū)、增壓區(qū)和出口;混合區(qū)實(shí)現(xiàn)反應(yīng)物的混合,加熱區(qū)提供高溫的反應(yīng)環(huán)境,增壓區(qū)為加熱區(qū)提供高壓環(huán)境;加熱區(qū)和和增壓區(qū)設(shè)有測(cè)溫傳感電阻。該方法首先通過(guò)光刻和DRIE定義微流體通道圖形;然后通過(guò)硅-玻璃陽(yáng)極鍵合制作微流體通道;再采用PECVD淀積SiO2并剝離制作傳感電阻和加熱電阻;最后通過(guò)光刻和DRIE制作入口和出口。本發(fā)明可高效、安全地實(shí)現(xiàn)各類需要在高溫高壓下進(jìn)行的化學(xué)、生物反應(yīng)。
聲明:
“實(shí)現(xiàn)高溫高壓的連續(xù)流動(dòng)型微流控芯片及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)