本發(fā)明公開了一種特殊結(jié)構(gòu)的硅片,除具有硅基板外,還具有氧化膜和氮化硅兩層膜結(jié)構(gòu),其中OX膜結(jié)構(gòu)置于硅基板和氮化硅之間。該硅片可應(yīng)用于半導(dǎo)體制造監(jiān)控工藝中作為擋控片,即用作填充片和制程監(jiān)控的硅片。本發(fā)明還提出了所涉及硅片的制備方法,即在硅基板上首先采用爐管或者化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)OX膜結(jié)構(gòu),膜厚控制在50埃到500埃之間;然后在所述OX膜結(jié)構(gòu)上采用爐管或者化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)氮化硅膜結(jié)構(gòu),膜厚控制在500埃到3000埃。本發(fā)明中硅片不易受到環(huán)境的影響而產(chǎn)生很多污染及干擾,可以延長(zhǎng)擋控片的使用壽命并保證顆粒測(cè)量的精確度,并最終提高半導(dǎo)體制造監(jiān)控工藝的準(zhǔn)確性,降低生產(chǎn)成本。