本發(fā)明涉及的一種高效晶硅異質(zhì)結(jié)
太陽(yáng)能電池的TCO鍍膜工藝方法,它包括以下內(nèi)容:N型硅襯底進(jìn)行制絨、清洗處理;通過(guò)PECVD制備雙面本征非晶硅層;選取N型非晶硅膜為受光面摻雜層,使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積制備N(xiāo)型非晶硅摻雜層;使用等離子體化學(xué)氣相沉積制備P型非晶硅摻雜層;使用RPD方法沉積TCO導(dǎo)電膜,鍍膜時(shí)工藝腔內(nèi)通入固定流量的Ar、H
2混合氣體;通過(guò)絲網(wǎng)印刷形成正背面Ag電極;固化使得銀柵線與TCO導(dǎo)電膜之間形成良好的歐姆接觸;進(jìn)行測(cè)試電池的電性能。本發(fā)明提升載流子遷移率與透光性、降低方租,進(jìn)而提高電池的電流及填充因子,進(jìn)而提高電池的電性能。
聲明:
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