本發(fā)明公開的用于ZnO單晶物理參數(shù)的無損檢測方法主要是基于點(diǎn)缺陷弱束縛電子跳躍電導(dǎo)的介電弛豫效應(yīng):高頻下弱束縛電子的輸運(yùn)僅限于晶胞內(nèi),主要表現(xiàn)為介電弛豫;低頻下弱束縛電子的輸運(yùn)可跨越耗盡層,甚至整個晶粒,主要表現(xiàn)為電導(dǎo)過程,此時介電弛豫效應(yīng)將達(dá)到飽和;根據(jù)介電常數(shù)發(fā)生改變的拐點(diǎn)所對應(yīng)的頻率就能推算耗盡層、晶粒的幾何尺寸;測試過程主要以介電譜為主表征耗盡層厚度和晶粒尺寸,同時通過模量譜對低頻電導(dǎo)和高頻弛豫信息進(jìn)行確診,并通過阻抗譜獲得非均勻各部分的阻抗參數(shù)。本發(fā)明用于ZnO單晶物理參數(shù)的無損檢測方法具有操作簡便、無損及誤差小的優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“用于ZnO單晶物理參數(shù)的無損檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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