本發(fā)明公開一種用于微機電構(gòu)件硅深腔的無損檢測方法,將清潔后的硅深腔構(gòu)件(1)作為模具,使用聚二甲基硅氧烷鑄模材料(2)倒入硅深腔構(gòu)件(1)內(nèi)進行鑄摸,脫模后即得到凸起的具有硅深腔構(gòu)件內(nèi)表面形貌特征的聚二甲基硅氧烷鑄模模型(3),對聚二甲基硅氧烷鑄模模型(3)外部形貌參數(shù)進行檢測,然后進行反推運算即可得知硅深腔構(gòu)件(1)內(nèi)表面的形貌參數(shù),檢測過程簡單方便,且無需破壞深腔構(gòu)件(1),能夠有效地降低檢測成本。
聲明:
“用于微機電構(gòu)件硅深腔的無損檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)