本發(fā)明公開了一種用于SIM卡
芯片的無(wú)損測(cè)量方法,SIM卡芯片置于SIM卡模塊內(nèi)部,該無(wú)損測(cè)量方法包括以下步驟:S1,將SIM卡模塊放置在超聲掃描顯微鏡的試驗(yàn)臺(tái)上;S2,將超聲掃描顯微鏡開啟正面掃描模式,直接對(duì)SIM卡模塊進(jìn)行檢測(cè);S3,將超聲掃描顯微鏡開啟反射掃描模式生成超聲波圖像和波形曲線;S4,對(duì)波形曲線進(jìn)行圖形分析;S5,根據(jù)公式計(jì)算出SIM卡芯片的厚度值;S6,根據(jù)步驟S5中計(jì)算得到的SIM卡芯片的厚度值與規(guī)定的厚度值范圍進(jìn)行比對(duì)。本發(fā)明的SIM卡芯片測(cè)量方法為無(wú)損檢測(cè)手段,不會(huì)破壞芯片,不影響后續(xù)使用,且簡(jiǎn)單易操作、準(zhǔn)確度高、可以大大節(jié)省測(cè)量時(shí)間和成本,有利于大批量、快速的樣品檢測(cè)。
聲明:
“用于SIM卡芯片的無(wú)損測(cè)量方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)