一種鑒別和測(cè)量
半導(dǎo)體材料中摻雜元素的方法,該方法包括:(1)通過(guò)一套X-射線衍射裝置,向硅晶樣品表面發(fā)射X-射線,含有摻雜劑的硅晶樣品表面在X-射線的轟擊下包含摻雜劑元素在內(nèi)的金屬元素發(fā)生衍射光譜;(2)通過(guò)檢測(cè)器接收衍射光譜;(3)通過(guò)特征光譜譜線位置來(lái)判定元素的種類(lèi)。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是:含有的摻雜元素直拉單晶硅材料時(shí)不需要特別制樣,直拉單晶硅材料是不接觸的,不會(huì)對(duì)直拉單晶硅材料造成沾污,幾乎是無(wú)損傷的,只需要5-180秒即可顯示檢測(cè)結(jié)果,特別適合現(xiàn)場(chǎng)鑒別,同時(shí),本發(fā)明提供的方法也可以測(cè)量硅晶材料中摻雜劑的含量。
聲明:
“鑒別和測(cè)量半導(dǎo)體材料中摻雜元素的方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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