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非接觸式測量硅晶圓電阻率的光學方法

912 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 08:58:31

本發(fā)明公開了一種非接觸式測量硅晶圓電阻率的光學方法，運用強度周期性調(diào)制的、光子能量大于硅禁帶寬度的激光經(jīng)準直、擴束后激勵硅晶圓，在其中產(chǎn)生濃度周期性變化的自由電子/空穴對；自由電子/空穴對通過輻射復合所發(fā)出的近紅外熒光信號由一組離軸拋物面鏡收集后由近紅外光電探測器記錄，并由鎖相放大器解調(diào)、獲得熒光信號的幅度與相位；連續(xù)地改變平均激勵光強可以得到一組強度掃描的熒光信號，激勵光強的相對改變由另一個光電探測器實時記錄；通過分析強度掃描數(shù)據(jù)可以求出硅晶圓的平衡多數(shù)載流子濃度，進而得到其電阻率。本方法可以非接觸地測量硅晶圓電阻率，為半導體制造業(yè)的晶圓在線監(jiān)測/檢測提供一種全光學的、無損、定量的表征方法。

聲明：

“非接觸式測量硅晶圓電阻率的光學方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)