一種在集成電路
芯片失效分析過(guò)程中去除層次的方法,用于暴露具有多層結(jié)構(gòu)的集成電路芯片的至少一預(yù)設(shè)目標(biāo)層,其中,目標(biāo)層中包含需檢測(cè)的目標(biāo)樣品,其包括如下步驟:采用截面研磨的方式,選取集成電路芯片的一個(gè)截面作為被研磨截面,將被研磨截面研磨至最終停止截面;將被研磨出截面的芯片樣品,放入聚焦離子束裝置的工藝腔中,并將研磨出的截面與聚焦離子束發(fā)射方向相對(duì)設(shè)置,以使預(yù)設(shè)的目標(biāo)層與聚焦離子束發(fā)射方向相平行;使用聚焦離子束,從集成電路芯片的表面層開(kāi)始去除預(yù)設(shè)目標(biāo)層之上的各層次;通過(guò)對(duì)聚焦離子束中的電子束的檢測(cè),選擇停留在預(yù)設(shè)目標(biāo)層表面。因此,本發(fā)明獲得很好的層次去除效果。
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