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用于發(fā)光二極管失效分析的芯片取出方法

769 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-19 08:59:31

本發(fā)明涉及一種用于發(fā)光二極管失效分析的芯片取出方法,本方法好處在于通過調控腐蝕劑的濃度、溫度和腐蝕時間,迅速把半導體封裝結構中環(huán)氧樹脂去除掉,再用清洗劑把裸露出的半導體發(fā)光二極管芯片進行清洗,以達到把半導體發(fā)光芯片完好的從封裝結構中取出目的。本方法簡單易操作,對半導體發(fā)光芯片表面和性能無本質影響,是半導體發(fā)光芯片失效分析中一種非常重要的方法。

聲明：

“用于發(fā)光二極管失效分析的芯片取出方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)