本發(fā)明涉及一種侵入式神經(jīng)電極失效分析方法,包括以下步驟:分別連續(xù)采集不同植入時間的神經(jīng)電極的腦電信號,直至所述神經(jīng)電極失效導致采集到的腦電信號發(fā)生異常;獲取失效的所述神經(jīng)電極,并截取所述神經(jīng)電極的尖端有效部位,用SEM分別觀察不同植入時間的所述神經(jīng)電極的尖端有效部位,并進行EDS元素分析;建立腦電信號發(fā)生異常、所述神經(jīng)電極微觀形貌、以及所述神經(jīng)電極的EDS元素分布變化的聯(lián)系。本發(fā)明能夠從微觀尺度研究神經(jīng)電極電學失效模式背后的微觀機理。
聲明:
“侵入式神經(jīng)電極失效分析方法” 該技術專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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