本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件主動(dòng)區(qū)失效分析樣品的制備方法,以氫氟酸與乙酸的混合溶液替代現(xiàn)有技術(shù)中單純使用氫氟酸去除氧化層,相對(duì)于單純使用氫氟酸的強(qiáng)腐蝕性,由于在混合溶液中的乙酸同時(shí)也電離出氫離子,可抑制氫氟酸的電離,避免腐蝕過程中過多的氟離子參與反應(yīng),因此,可使得腐蝕過程中減小損傷或不損傷半導(dǎo)體器件的主動(dòng)區(qū);使用超聲波振蕩半導(dǎo)體器件可使低于主動(dòng)區(qū)表面的
多晶硅層突出,便于后續(xù)使用多晶硅膠去除多晶硅層,避免了在去除多晶硅層的過程中對(duì)半導(dǎo)體器件主動(dòng)區(qū)的損傷。
聲明:
“半導(dǎo)體器件主動(dòng)區(qū)失效分析樣品的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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