本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體失效檢測結(jié)構(gòu)及其檢測方法,應(yīng)用于半導(dǎo)體器件失效檢測過程,半導(dǎo)體失效檢測方法包括:在待檢測晶圓預(yù)設(shè)范圍內(nèi)設(shè)置參考層;獲取設(shè)置參考層對應(yīng)待檢測晶圓的晶圓圖像;將晶圓圖像與檢測標(biāo)準(zhǔn)圖像進行對比,根據(jù)參考層得到待檢測晶圓中失效的位置信息及分析結(jié)果。本說明書實施例設(shè)置類似金屬材料的參考層,該參考層為多個最小單元規(guī)則排布的參考塊,尤其使參考塊構(gòu)成的參考層呈米型狀或T型狀排布,優(yōu)化測試結(jié)構(gòu)周邊和上下層dummy結(jié)構(gòu)的設(shè)計,在不影響各種不同功能的測試結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,不僅有助于形成更加清晰高對比度的測試結(jié)構(gòu)圖形影像,而且大大提升失效分析定位的準(zhǔn)確性和物性失效分析的成功率和效率。
聲明:
“半導(dǎo)體失效檢測結(jié)構(gòu)及其檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)