本發(fā)明提供的一種監(jiān)測SRAM存儲區(qū)通孔對準失效的測試結(jié)構(gòu),包括第一測試單元和/第二測試單元;所述第一測試單元用于測試SRAM存儲區(qū)的通孔是否發(fā)生橫向漂移;以及所述第二測試單元用于測試SRAM存儲區(qū)的通孔是否發(fā)生縱向漂移。本發(fā)明通過第一測試單元判斷出通孔是否發(fā)生橫向漂移,可以檢測SRAM存儲區(qū)的通孔中形成的鎢插塞是否連通了上層金屬層和下層金屬層,和/或,通過第二測試單元可以判斷出通孔是否發(fā)生縱向漂移,可以檢測SRAM存儲區(qū)的通孔中形成的鎢插塞是否連通了上層金屬層和下層金屬層,從而監(jiān)測SRAM存儲區(qū)通孔是否對準失效。
聲明:
“監(jiān)測SRAM存儲區(qū)通孔對準失效的測試結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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