本發(fā)明涉及定位測試結(jié)構(gòu)失效位置的方法,涉及半導(dǎo)體集成電路失效分析技術(shù),首先獲得測試結(jié)構(gòu)的失效模型,然后將測試結(jié)構(gòu)中的器件結(jié)構(gòu)中的PN結(jié)開啟,利用顯微鏡定位到存在PN結(jié)導(dǎo)通區(qū)域的測試結(jié)構(gòu)組,而可快速定位到目標(biāo)區(qū)域,最后根據(jù)失效模型向器件的失效模型對應(yīng)的端子施加測試信號,獲得對應(yīng)端子的測試信號的異常發(fā)光點(diǎn),并將倍率逐漸放大,進(jìn)而鎖定到失效位置,如此通過PN結(jié)開啟可快速定位到目標(biāo)區(qū)域,然后通過切換測試條件而快速鎖定到失效位置,且可避免現(xiàn)有技術(shù)中的因背景噪聲信號較大,會淹沒失效點(diǎn)信號,而無法定位的問題。
聲明:
“定位測試結(jié)構(gòu)失效位置和原因的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)