公開了一種
芯片的失效點定位方法,其去除芯片的邊緣結(jié)構,以在芯片的截面上暴露出多個金屬層的部分,通過暴露的金屬層向芯片提供電流,并通過EBAC(E?Beam Absorbance Current,電子束吸收電流)技術獲得芯片的截面在電流驅(qū)動下的截面圖像,根據(jù)該截面圖像的明暗區(qū)交界處位置可直接定位獲得失效點的深度位置,無需多次去層芯片,逐步暴露不同深度的底層金屬進行多次測試,有效提升了失效點的深度位置的分析測試速度,為芯片研發(fā)提供了便利。
聲明:
“芯片的失效點定位方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)